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技術(shù)文章

Technical articles

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  • 202212-12
    高壓快速斷器您了解多少呢?

    高壓快速斷器是一種斷器的一種,快速斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流,因此要求短路保護(hù)具有快速斷的能力??焖贁嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式斷器基本相同,但體材料和形狀不同,它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面體。快速斷器的絲除了具有一定形狀的金屬絲外,還會(huì)在上面點(diǎn)上某種材質(zhì)的焊點(diǎn),其目的為了使絲在過載情況下迅速斷開??焖贁嗥鳎簲嗥髦饕糜诎雽?dǎo)體整流元件或整流器件的短路保護(hù)。因?yàn)榘雽?dǎo)體元件的過載能力很低。只能...

  • 202211-14
    艾賽斯模塊的可靠性測(cè)試究竟有什么意義?

    艾賽斯模塊的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。艾賽斯模塊的可靠性測(cè)試是在其生產(chǎn)中不可少的一個(gè)環(huán)節(jié),為何這么說呢?艾賽斯模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET器件...

  • 202211-2
    如何用萬(wàn)用表判斷晶閘管電極?

    傳統(tǒng)的晶閘管本質(zhì)上是直流控制裝置。為了控制交流負(fù)載,兩個(gè)晶閘管必須并聯(lián)反向極性,使每個(gè)晶閘管能控制一個(gè)半波。晶閘管晶閘管是在普通晶閘管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,它不僅可以并聯(lián)取代兩個(gè)反極性晶閘管,而且只需要一個(gè)觸發(fā)電路,是目前理想的交流開關(guān)器件。它的英文名字是triac意思是三端雙向交流開關(guān)。晶閘管是一種功率集成裝置,由七個(gè)晶體管和多個(gè)電阻組成,雖然從形式上來說它可以看作是兩個(gè)傳統(tǒng)晶閘管的組合。低功率晶閘管用塑料包裝,有些帶散熱片,如圖1所示。典型產(chǎn)品有bcmlam(1a/600v...

  • 202210-18
    IGBT為什么被稱為電力電子行業(yè)的“CPU”

    IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),又稱為絕緣閘極雙極性電晶體。IGBT歸類在功率半導(dǎo)體元件的電晶體領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元件(電晶體領(lǐng)域)除了IGBT之外,還有MOSFET、BIPOLAR等,這些都能用來作為半導(dǎo)體開關(guān)。IGBT是一種適合高電壓、大電流應(yīng)用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V,額定電流范圍為5A至1000A,IGBT廣泛用于工業(yè)應(yīng)用(例如,逆變器系統(tǒng)和不間斷電源(UPS))、消費(fèi)類應(yīng)用(例如,空調(diào)和電磁爐...

  • 202210-8
    快速熔斷器的安裝要求

    高壓快速熔斷器是一種熔斷器的一種,快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流,因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力??焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體??焖偃蹟嗥鞯娜劢z除了具有一定形狀的金屬絲外,還會(huì)在上面點(diǎn)上某種材質(zhì)的焊點(diǎn),其目的為了使熔絲在過載情況下迅速斷開。下面我們一起來了解下快速熔斷器的安裝要求:一、快速熔斷器變電器在二次電...

  • 20229-26
    高壓快速熔斷器使用與維修

    快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流,因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力??焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體??焖偃蹟嗥鞯墓ぷ鳒囟确秶浅4螅舷蘅梢赃_(dá)到90℃,下限可以達(dá)到-50℃。具有良好的分?jǐn)嗄芰?,最大分?jǐn)嗄芰_(dá)到35KA,分?jǐn)鄷r(shí)間常數(shù)為1-3ms。熔斷特性*:熔斷器在實(shí)際工作電流達(dá)到額定電流的1.13倍時(shí),1小時(shí)內(nèi)熔...

  • 20229-22
    功率MOSFET技術(shù)資料

    什么是功率MOSFET?我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過或屏蔽一個(gè)信號(hào)。對(duì)于諸如“流控制”或可編程開關(guān)之類的應(yīng)用,我們需要一種三端器件和雙極型三極管。我們都聽說過Bardeen&Brattain,是他們偶然之間發(fā)明了三極管,就像許多其它偉大的發(fā)現(xiàn)一樣。結(jié)構(gòu)上,它由兩個(gè)背靠背的結(jié)實(shí)現(xiàn)(這不是一筆大交易,早在Bardeen之前,我們可能就是采用相同的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了共...

  • 20229-13
    車規(guī)MCU芯片市場(chǎng)高需求持續(xù),國(guó)內(nèi)廠商蓄勢(shì)發(fā)展

    核心觀點(diǎn):從汽車行業(yè)背景看,新能源汽車銷量高增,汽車半導(dǎo)體景氣度持續(xù):汽車“三化”進(jìn)程不斷加速,各類汽車半導(dǎo)體需求量均有不同程度地提高,車規(guī)級(jí)MCU是一類具有廣泛運(yùn)用場(chǎng)景的車載芯片,車規(guī)級(jí)MCU市場(chǎng)前景廣闊。從短期重大事件看:車規(guī)級(jí)MCU正是本輪“缺芯”事件的“主角”之一,多重因素促成了一次嚴(yán)重的汽車產(chǎn)業(yè)鏈“缺芯”危機(jī),這導(dǎo)致了汽車生產(chǎn)遭遇巨大困難,現(xiàn)階段車規(guī)級(jí)MCU仍是眾多汽車芯片中尤為緊缺的種類之一。從中長(zhǎng)期發(fā)展趨勢(shì)看:疫情終將過去,發(fā)展大勢(shì)不可阻擋。汽車電子電氣(E/E...

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